MOSYS在中芯國際0.18微米標準邏輯工藝中進行1T-SRAM記憶體的硅驗證
上海 [2003-05-20] (中國上海訊,2003年5月20日)業界領先的高密度SoC 植入記憶體解決方案提供商MoSys (納斯達克股票標識:MOSY)和中國第一家先進的半導體代工廠中芯國際積體電路製造有限公司(中芯國際)共同宣佈,MoSys在中芯國際的0.18微米標準邏輯工藝中,已完成1T-SRAM記憶體技術的矽驗證。該製造里程碑的奠定,使中芯國際客戶可以更有信心地選擇MoSys的1T-SRAM技術,以滿足他們對系統級晶片(SoC)設計的存儲要求。 “中芯國際對MoSys的1T-SRAM記憶體的矽驗證,可以使我們的客戶採用植入存儲技術,而且該技術已經成功地通過了製造測試。這將減小設計風險,提高複雜的SoC設計能力”,中芯國際市場及行銷中心副總裁宋建邁說,“我們與MoSys的合作,為客戶 ...